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大眾對多媒體的要求越來越高,但流動智能設備的儲存空間仍然十分有限。為了應付日益增加的高容量儲存需求,三星日前正式宣佈開始量產容量高達 128GB 的嵌入式快閃記憶體。這批新快閃記憶體采用了 Toggle DDR 2.0 接口和 20nm 奈米製程打造,同時符合 JEDEC eMMC V4.5 設計規範,具有高性能、纖薄的特點,能夠實現 140MB/S傳輸速度,比現行 eMMC 4.41 快上四倍左右。此外,三星還同時宣佈採用30 奈米製程的 2GB LPDDR3-1600 記憶體也正式投產,支援 1,600Mbps 傳輸速率及雙通道 12.8GB/s 頻寬,相比前代 LPDDR2 分別快上50%及2倍,可以輕鬆應付實時1080p全高清影片播放。
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